图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FJN4311RBU 

产品描述

PNP/40V/100MA/22K

内部编号

3-FJN4311RBU

#1

期货
1 ¥0.192

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FJN4311RBU产品详细规格

文档 Copper Lead Frame 12/Oct/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
电阻 - 基地(R1)(欧姆) 22k
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 1mA, 5V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) -
频率转换 200MHz
功率 - 最大 300mW
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Bulk
供应商封装形式 TO-92
标准包装名称 TO-92
最小直流电流增益 100@1mA@5V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
包装高度 5.33(Max)
典型输入电阻 22
最大功率耗散 300
封装 Bulk
Maximum Continuous DC Collector Current 100
最大集电极发射极饱和电压 0.3@1mA@10mA
包装宽度 4.19(Max)
安装 Through Hole
PCB 3
包装长度 5.2(Max)
最大集电极发射极电压 40
配置 Single
类型 PNP
引脚数 3
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
频率 - 转换 200MHz
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) 22k
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 1mA, 10mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 300mW
标准包装 1,000
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
安装类型 Through Hole
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 1mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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